MTE652T2
O SSD MTE652T2 M.2 da Transcend foi concebido com a interface PCI Express (PCIe) Gen 3 x4 e é compatível com as especificações NVM Express (NVMe) 1.3, proporcionando velocidades de transferência inigualáveis. O MTE652T2 utiliza a mais recente tecnologia 3D NAND para uma maior eficiência de armazenamento, o PCB possui pinos de ligação em ouro de 30µ de espessura e tecnologia de corner bond para maior durabilidade, cache DRAM incorporada para acesso rápido, um intervalo de temperatura de funcionamento alargado de -20°C a 75°C, e uma classificação de resistência de 3K de escrita / limpeza de dados para um funcionamento fiável.
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CARACTERÍSTICAS DE FIRMWARE
- Suporta comandos NVM
- Dynamic thermal throttling
- Função LDPC ECC (Error Correction Code) Integrada
- Nivelamento avançado de desgaste global e gestão de blocos defeituosos para fiabilidade
- Recolha Avançada de Lixo
- Criptografia de disco inteiro com Advanced Encryption Standard (AES) (opcional)
CARACTERÍSTICAS DE HARDWARE
- Cumpre com os padrões RoHS
- Cumpre com as especificações NVM Express 1.3
- Cumpre com as especificações PCI Express 3.1
- Fator de forma M.2 (80mm) – ideal para dispositivos informáticos móveis
- Interface PCIe Gen 3 x 4
- Módulo DDR3 cache integrado
- Resistência: 3K P/E (Programar/Eliminar) ciclos garantidos
- Os principais componentes são reforçados de fábrica com a tecnologia Corner Bond
- PCB conta com pinos de ligação em ouro com espessura de 30µ
- Power Shield (PS) para assegurar a integridade da transferência de dados e minimizar a corrupção dos dados na unidade durante uma falha de energía
- Fiabilidade operativa prometida numa vasta gama de temperaturas (de -20 °C a 75 °C)
ESPECIFICAÇÕES
APARÊNCIA |
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DIMENSÕES | 80 mm x 22 mm x 3.58 mm (3.15″ x 0.87″ x 0.14″) |
PESO | 9 g (0.32 oz) |
FATOR DE FORMA | · M.2 |
TIPO M.2 | · 2280-D2-M (Dupla face) |
INTERFACE |
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INTERFACE DE BUS | · NVMe PCIe de Gen3 x4 |
ARMAZENAMENTO |
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TIPO DE FLASH | · Flash 3D NAND |
CAPACIDADE | · 64 GB/
· 128 GB/ · 256 GB/ · 512 GB |
AMBIENTE DE FUNCIONAMENTO |
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TENSÃO DE FUNCIONAMENTO | · 3.3V±5% |
TEMPERATURA DE FUNCIONAMENTO | · Extentida
-20°C (-4°F) ~ 75°C (167°F) |
TEMPERATURA DE ARMAZENAMENTO | -55°C (-67°F) ~ 85°C (185°F) |
HUMIDADE | 5% ~ 95% |
CHOQUE | · 1500 G, 0.5 ms, 3 eixos |
VIBRAção (sem funcionar) | 20 G (Pico-a-Pico), 7 Hz ~ 2000 Hz (frequência) |
ALIMENTAÇÃO |
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CONSUMO DE ENERGIA (FUNCIONAR) | 3.3 Watt(s) |
CONSUMO DE ENERGIA (IDLE) | 0.6 Watt(s) |
DESEMPENHO |
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LECTURA / ESCRITURA SECUENCIAL (CRYSTALDISKMARK) | Leitura: Até 2,100 MB/s Escrita: Até 1,250 MB/s |
LEITURA / ESCRITA ALEATÓRIA 4K (IOMETER) | Leitura: Até 190,000 IOPS Escrita: Até 290,000 IOPS |
TEMPO MEDO ENTRE FALHAS (MTBF) | 3,000,000 hora(s) |
TERABYTES ESCRITO (TBW) | Até 1,080 TBW |
NUMERO DE DISCOS ESCRITO POR DiA (DWPD) | 2 (3 anos) |
NOTA |
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