MTE670T
O SSD MTE670T M.2 da Transcend apresenta interface PCI Express (PCIe) Gen 3 x4 e suporta especificações NVM Express (NVMe) 1.3 para velocidades de transferência nunca antes vistas. O MTE670T apresenta a tecnologia 3D NAND de próxima geração, que permite o empilhamento vertical de 112 camadas de chips flash 3D NAND. Em comparação com o NAND 3D de 96 camadas, este avanço da densidade melhora muito a eficiência de armazenamento. Aplicado com um PCB com pinos de ligação dourados de 30µ” e tecnologia Corner Bond, o MTE670T é totalmente testado internamente para assegurar a fiabilidade em aplicações de missão crítica, com uma classificação de resistência P/E de 3K ciclos e uma gama alargada de temperaturas de funcionamento de -20℃ ~ 75℃.
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CARACTERÍSTICAS DE FIRMWARE
- Suporta comandos NVM
- Tecnologia de cache SLC
- Dynamic thermal throttling
- Função LDPC ECC (Error Correction Code) Integrado
- Nivelamento avançado de desgaste global e gestão de blocos defeituosos para fiabilidade
- Recolha Avançada de Lixo
- Função S.M.A.R.T. aprimorado para durabilidade
- Comando TRIM para um melhor desempenho
CARACTERÍSTICAS DE HARDWARE
- Em conformidade com os padrões RoHS
- Cumpre com as especificações NVM Express 1.3
- Cumpre com as especificações PCI Express 3.1
- Fator de forma M.2 (80mm) – ideal para dispositivos informáticos móveis
- Interface PCIe Gen 3 x 4
- Resistência: 3K P/E (Programar/Eliminar) ciclos garantidos
- Os principais componentes são reforçados de fábrica com a tecnologia Corner Bond
- PCB conta com pinos de ligação de ouro com espessura de 30µ
- Power Shield (PS) para assegurar a integridade da transferência de dados e minimizar a corrupção dos dados na unidade durante uma falha de energia anormal
- Temperatura extendida (-20°C ~ 75°C) e Temperatura ampla (-40°C ~ 85°C) opções disponíveis
- Suporta o software Scope Pro da Transcend
ESPECIFICAÇÕES
APARÊNCIA |
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DIMENSÕES | 80 mm x 22 mm x 2.23 mm (3.15″ x 0.87″ x 0.08″) |
PESO | 9 g (0.32 oz) |
FATOR DE FORMA | · M.2 |
TIPO M.2 | · 2280-S2-M (Um lado) |
INTERFACE |
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INTERFACE DE BUS | · NVMe PCIe de Gen3 x4 |
ARMAZENAMENTO |
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TIPO DE FLASH | · 112-layer 3D NAND flash |
CAPACIDADE | · 128 GB/
· 256 GB/ · 512 GB/ · 1 TB |
AMBIENTE DE FUNCIONAMENTO |
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TENSÃO DE FUNCIONAMENTO | · 3.3V±5% |
TEMPERATURA DE FUNCIONAMENTO | · Extentida
-20°C (-4°F) ~ 75°C (167°F) · Temperatura ampla -40°C (-40°F) ~ 85°C (185°F) |
TEMPERATURA DE ARMAZENAMENTO | -40°C (-40°F) ~ 85°C (185°F) |
HUMIDADE | 5% ~ 95% |
CHOQUE | · 1500 G, 0.5 ms, 3 eixos |
VIBRAÇÃO (A FUNCIONAR) | 20 G (Pico-a-Pico), 7 Hz ~ 2,000 Hz (frequencia) |
ALIMENTAÇÃO |
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CONSUMO DE ENERGIA (A FUNCIONAR) | 3.1 Watt(s) |
CONSUMO DE ENERGÍA (IDLE) | 0.4 Watt(s) |
DESEMPENHO |
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LEITURA / ESCRITA SECUENCIAL (CRYSTALDISKMARK) | Leitura: Até 2,100 MB/s Escrita: Até 1,600 MB/s |
LEITURA / ESCRITA ALEATORIA 4K (IOMETER) | Leitura: Até 150,000 IOPS Escrita: Até 280,000 IOPS |
TEMPO MÉDIO ENTRE FALHAS (MTBF) | 3,000,000 hora(s) |
TERABYTES ESCRITO (TBW) | Até 960 TBW |
NUMERO DE DISCOS ESCRITO POR DiA (DWPD) | 0.88 (3 anos) |
NOTA | · A velocidade pode variar devido ao host, hardware, software, uso e capacidade de armazenamento.
· A carga de trabalho usada para qualificar o DWPD pode ser diferente em comparação com sua carga de trabalho real, devido a diferenças no hardware, software, uso e capacidade de armazenamento do host. · Terabytes Written (TBW) indica resistência sob a capacidade mais alta. |